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电子元器件制造商
Renesas Electronics Corp.
Semiconductors
Transistors
RF Power Field-Effect Transistors
UPA901TU-T3-A
Renesas Electronics Corp.
生命周期状态
EOL
RoHS
符合RoHS标准
说明
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.075A 8-Pin L2MM T/R
类别
Semiconductors
Transistors
RF Power Field-Effect Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
Application
AMPLIFIER
JESD-30 Code
R-PDSO-F8
Configuration
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
FLAT
DLA Qualification
Not Qualified
Terminal Position
DUAL
Additional Feature
LOW NOISE
Number of Elements
2
Number of Terminals
8
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
NPN
Highest Frequency Band
C BAND
DC Current Gain-Min (hFE)
80
Power Dissipation-Max (W)
0.41
Transistor Element Material
SILICON GERMANIUM
Collector Current-Max (IC) (A)
0.25
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Collector-emitter Voltage-Max (V)
4.5
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2年以内
包装
未知
包装情况
未知
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106,577
货期
3 日
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