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电子元器件制造商
Texas Instruments Incorporated
Semiconductors
Transistors
Small Signal Field-Effect Transistors
CSD16570Q5B
Texas Instruments Incorporated
CSD16570Q5B 产品规格书
生命周期状态
Active
说明
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.82 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
类别
Semiconductors
Transistors
Small Signal Field-Effect Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8541.29.00.95
SB Code
8541.29.00.80
技术详情
Application
SWITCHING
JESD-30 Code
R-PDSO-N8
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
NO LEAD
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
J-STD-609 Code
e4
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Case Connection
DRAIN
Terminal Finish
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Position
DUAL
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Number of Elements
1
Number of Terminals
8
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (W)
195
Drain Current-Max (ID) (A)
100
Moisture Sensitivity Level
1
Transistor Element Material
SILICON
DS Breakdown Voltage-Min (V)
25
Feedback Cap-Max (Crss) (pF)
1290
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Operating Temperature-Min (Cel)
-55
Avalanche Energy Rating (Eas) (mJ)
480
Pulsed Drain Current-Max (IDM) (A)
400
Drain-source On Resistance-Max (ohm)
0.00082
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
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未知
包装情况
未知
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165
货期
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出价数量
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批号
2年以内
包装
未知
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未知
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2,256
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