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电子元器件制造商
ROHM Semiconductor
Semiconductors
Transistors
RF Power Field-Effect Transistors
2SC4083T106N
ROHM Semiconductor
2SC4083T106N 产品规格书
生命周期状态
NRFND
RoHS
符合RoHS标准
REACH
REACH compliant
说明
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 200mW 3-Pin UMT T/R
类别
Semiconductors
Transistors
RF Power Field-Effect Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
Application
AMPLIFIER
JESD-30 Code
R-PDSO-G3
Configuration
SINGLE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
J-STD-609 Code
e1
VCEsat-Max (V)
0.5
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
DLA Qualification
Not Qualified
Terminal Position
DUAL
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
NPN
Highest Frequency Band
S BAND
DC Current Gain-Min (hFE)
56
Power Dissipation-Max (W)
0.2
Moisture Sensitivity Level
1
Transistor Element Material
SILICON
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Collector Current-Max (IC) (A)
0.05
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Collector-emitter Voltage-Max (V)
11
Collector-base Capacitance-Max (pF)
1.5
Transition Frequency-Nom (fT) (MHz)
3200
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
10
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包装
未知
包装情况
Unknown
供应商类型
已认证供应商
库存
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货期
1 周
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