NextPower 80/100 V MOSFETs

尺寸更小、传输更快、散热更好

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主要特征


  • 行业领先的低Qrr,实现高效率、低尖峰
  • 具有低QG × RDS(on) FoM,可用于高效能开关应用
  • 优化后体二极管VSD=1V(max)
  • 强雪崩能量等级 (EAS) 经100%测试
  • 符合 Tj(max)=175°C条件,满足 IPC 9592要求
  • 不含Ha 且符合 RoHS 标准的 LFPAK56 封装要求
  • 波峰焊法 LFPAK56 封装
  • 采用 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装的 80V 和 100V 产品组合
  • 包含用于热插拔和 PoE 的 ASFET,例如 PSMN4R8-100YSE

产品亮点


  • 非常适合用于电源、电信及工业的设计
  • 尺寸能节省空间
  • 二极管损耗、热阻和封装寄生电容均较低
  • 较低反向恢复电流
  • 可靠性提升
  • 稳定性提升
  • 兼容Power-SO8

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NextPower 80/100 V MOSFET 产品系列非常适合电源、电信和工业设计,尤其适用于 USB-PD Type-C 充电器和适配器以及 48 V DC-DC 适配器。

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该系列产品对二极管损耗较低,其Qrr可低至 50 纳库仑 (nC),从而减少了反向恢复电流 (Irr)、电压尖峰 (Vpeak) 和振荡,从而进一步优化了停滞时间。

应用领域


  • 反激和准谐振拓扑中的同步整流器
  • AC/DC 及 DC/DC 转换器
  • LED 照明
  • 全桥和半桥拓扑应用
  • 电机控制
  • UPS及太阳能逆变器
  • 热插拔和软启动
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产品描述 查看库存免费样片下载
PSMN3R5-80YSFNextPower 80 V, 3.5 mOhm, 150 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E package
PSMN3R9-100YSFNextPower 100 V, 4.3 mOhm, 120 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E package
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PSMN5R5-100YSFNextPower 100 V, 5.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package
PSMN6R9-100YSFNextPower 100 V, 7 mΩ N-channel MOSFET in LFPAK56 package
PSMN8R7-100YSFNextPower 100 V, 9 mΩ N-channel MOSFET in LFPAK56 package
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PSMN1R9-80SSEN-channel 80 V, 1.9 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88
PSMN2R3-100SSEN-channel 100 V, 2.3 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88
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Nexperia: 效率致胜

Nexperia作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 以及模拟 IC 和逻辑 IC。
 
Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付 900 多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

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