【简述】与上一代相比，Nexperia 的新型 NextPower 100V 和 80V MOSFET不仅仅是更新换代，更树立了一个卓越的全新产品标准。

一般来说，芯片制造商在推出新一代产品时，会强调对其进行了渐进式改进。 制造商往往会将功耗或性能数值方面的个位数提升，吹捧为革命性的进化。 但现实往往只不过是“老黄瓜刷绿漆”，用华丽的词语掩盖了令人失望的缺乏创新。

但显然，Nexperia不打算守旧，它的想法不同。

当这家知名基础半导体公司推出新一代电子元件时，它在性能、效率和可靠性标准领域设定了全新标准。Nexperia的NextPower 80V 和 100V MOSFET 产品线，已达到了它以往推出新品时的预期。 新的零件系列具备满足 OEM 制造新一代产品所需要的所有性能。

NextPower 100V MOSFET 提供了更高级别的产品可靠性

Nexperia 的 NextPower 100V MOSFET 展示了其公司工程师的非凡创造力。功率元件系列的产品属性不同，这使它们可以不同方式提供出色的解决方案。尽管它们的性能有别，但整个系列都拥有一致的高可靠性。

比如，PSMN7R2-100YSF 提供 7.2mΩ 的电阻并具有低 Qrr属性，从而能实现最小的尖峰水平，并提供卓越的效能。 该设备具有很强的雪崩能量等级，这使其更加安全，并且特别适用于空间有限的应用。而且由于其非常稳定，MOSFET还可以支持移动快充适配器和边开关电源。

PSMN7R2-100YSF 还采用 LFPAK56 封装，在性能和可靠性方面处于行业领先地位。

与此类似，PSMN2R0-100SSF 是一款 2.07mΩ MOSFET，具有极低的反向恢复电荷。 它采用紧凑的 8mm x 8mm 封装，功率密度是同类引线键合产品的 53 倍。 这些特性，将使这款产品成为新型消费电子产品和工业设备设计师的首选。

最后，PSMN2R3-100SSE 是一款 N 通道 2.3mΩ 器件，具有强大的线性模式安全工作区 (SOA) 性能。这款元件是 Nexperia 特定应用 MOSFET (ASFET) 系列的一部分，该系列结合了最先进的硅设计和高度可靠的 LFPAK88 铜夹封装。 由于其成分，它具有非常低的 RDSon，可最大限度地减少 I2R 损耗，并在完全激活时发挥最佳效能。

因此，PSMN2R3-100SSE MOSFET 可以承受相当大的浪涌电流，这说明它们会是 48V 总通信系统项目的优质备组件。

NextPower 80V MOSFET 在微型封装中提供强大的性能

Nexperia 的 NextPower 系列还包括一些先进的 80V MOSFET。

标准电平栅极驱动 IC 的结温范围为 -55°C 至 175°C。 此外，Nexperia的新款 80V MOSFET 通过了雪崩额定值测试。 这些芯片具有非常低的总栅极电荷和漏源电阻。 凭借这种强度和高开关效率，它可满足工业及消费应用的严苛条件。

Nexperia 的 NextPower 着眼于满足多种应用的需求。 其 PSMN3R5-80YSF 元件提供 150A 电流和 3.5mΩ 电阻，是 AC/DC 和 DC/DC 同步整流器、USB-PD 适配器和 BL DC 电机控制的理想选择。 同样，其 PSMN1R8-80SSF 单元件支持需要全桥和半桥转换器以及需要电池保护的 NPI。

此外，PSMN3R5-80YSF 和 PSMN1R8-80SSF MOSFET 采用 LFPAK88 封装。 因此，这些芯片比其前代产品小 86%，为设计人员提供了更多的电路板空间。 功率元件的功率密度也提升了两倍，而且它的热阻和电阻也非常小。

Nexperia 的 NextPower 80V 和 100V MOSFET 凭借质量优势，应是 OEM 采购的不二之选。 市场一直在等待在性能、可靠性和封装方面具有合理飞跃的功率元件，而Nexperia的新系列满足上述全部要求。

【元描述】Nexperia 的新型 NextPower 系列 100V 和 80V MOSFET 提供了行业领先的产品性能及可靠性。