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电子元器件制造商
Nanya Technology Corporation
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
DDR1 DRAM
NT6DM16M32BC-T1
Nanya Technology Corporation
生命周期状态
Active
REACH
REACH compliant
说明
DDR1 DRAM, 16MX32, 5ns, CMOS, PBGA90
类别
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
DDR1 DRAM
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8542.32.00.28
SB Code
8542.32.00.15
技术详情
Technology
CMOS
Width (mm)
8
Access Mode
FOUR BANK PAGE BURST
Length (mm)
13
JESD-30 Code
R-PBGA-B90
Memory Width
32
Package Code
VFBGA
Self Refresh
YES
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
BALL
Memory IC Type
DDR1 DRAM
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Number of Ports
1
Temperature Grade
OTHER
Terminal Position
BOTTOM
Additional Feature
AUTO/SELF REFRESH
Memory Organization
16MX32
Number of Functions
1
Number of Terminals
90
Terminal Pitch (mm)
0.8
Access Time-Max (ns)
5
Number of Words Code
16M
Memory Density (bits)
536870912
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Seated Height-Max (mm)
1
Supply Voltage-Max (V)
1.95
Supply Voltage-Min (V)
1.7
Supply Voltage-Nom (V)
1.8
Number of Words (words)
16777216
Operating Temperature-Max (Cel)
85
Operating Temperature-Min (Cel)
-25
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2年以内
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
呆料库存
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
1,530
货期
2 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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批号
2022
日期代码(D/C)的标准格式为YYWW。
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
呆料库存
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
43,490
货期
2 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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NT6DM16M32BC-T1
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NT6DM16M32BC-T1
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