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ONSEMI
Semiconductors
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Unijunction Transistors
MUN5316DW1T1G
ONSEMI
MUN5316DW1T1G 产品规格书
生命周期状态
Active
RoHS
符合RoHS标准
REACH
REACH compliant
说明
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
类别
Semiconductors
Transistors
Unijunction Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
Application
SWITCHING
JESD-30 Code
R-PDSO-G6
Configuration
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
J-STD-609 Code
e3
VCEsat-Max (V)
0.25
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
DLA Qualification
Not Qualified
Terminal Position
DUAL
Additional Feature
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Number of Elements
2
Number of Terminals
6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
NPN AND PNP
DC Current Gain-Min (hFE)
160
Power Dissipation-Max (W)
0.385
Moisture Sensitivity Level
1
Transistor Element Material
SILICON
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Collector Current-Max (IC) (A)
0.1
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Operating Temperature-Min (Cel)
-55
Collector-emitter Voltage-Max (V)
50
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
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包装情况
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批号
2年以内
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
呆料库存
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
450,000
货期
2 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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