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ONSEMI
MUN5135DW1T1G 产品规格书
生命周期状态
Active
RoHS
符合RoHS标准
REACH
REACH compliant
说明
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
类别
Semiconductors
Transistors
Unijunction Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
Application
SWITCHING
JESD-30 Code
R-PDSO-G6
Configuration
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
J-STD-609 Code
e3
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
DLA Qualification
Not Qualified
Terminal Position
DUAL
Additional Feature
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
Number of Elements
2
Number of Terminals
6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
PNP
DC Current Gain-Min (hFE)
80
Power Dissipation-Max (W)
0.15
Moisture Sensitivity Level
1
Transistor Element Material
SILICON
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Collector Current-Max (IC) (A)
0.1
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Collector-emitter Voltage-Max (V)
50
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
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包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
已认证供应商
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货期
1 周
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