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ONSEMI
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RF Power Field-Effect Transistors
MSC2295-CT1G
ONSEMI
生命周期状态
EOL
RoHS
符合RoHS标准
说明
Trans RF BJT NPN 20V 0.03A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
类别
Semiconductors
Transistors
RF Power Field-Effect Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
JESD-30 Code
R-PDSO-G3
Configuration
SINGLE
JESD-609 Code
e3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
Terminal Finish
TIN
Terminal Position
DUAL
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Qualification Status
Not Qualified
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
NPN
Transistor Application
AMPLIFIER
DC Current Gain-Min (hFE)
110
Operating Temperature-Max
150 Cel
Collector Current-Max (IC)
0.03 A
Moisture Sensitivity Level
1
Power Dissipation-Max (Abs)
0.2 W
Transistor Element Material
SILICON
Collector-emitter Voltage-Max
20 V
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Transition Frequency-Nom (fT)
150 MHz
Collector-base Capacitance-Max
1.5 pF
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
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包装
未知
包装情况
Unknown
供应商类型
已认证供应商
库存
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货期
1 周
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