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电子元器件制造商
Samsung Semiconductor, Inc.
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
LPDDR4 DRAM
K4F6E3S4HB-KHCL
Samsung Semiconductor, Inc.
生命周期状态
Active
说明
LPDDR4 DRAM, 512MX32, CMOS, PBGA200
类别
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
LPDDR4 DRAM
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8542.32.00.36
SB Code
8542.32.00.23
技术详情
I/O Type
COMMON
Technology
CMOS
Width (mm)
10
Length (mm)
14.5
JESD-30 Code
R-PBGA-B200
Memory Width
32
Package Code
TFBGA
Self Refresh
YES
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
BALL
Memory IC Type
LPDDR4 DRAM
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Refresh Cycles
8192
Number of Ports
1
Terminal Position
BOTTOM
Memory Organization
512MX32
Number of Functions
1
Number of Terminals
200
Terminal Pitch (mm)
0.65
Number of Words Code
512M
Memory Density (bits)
17179869184
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Seated Height-Max (mm)
1.1
Supply Voltage-Min (V)
1.067
Supply Voltage-Nom (V)
1.1
Number of Words (words)
536870912
Package Equivalence Code
BGA200,12X22,32/25
Clock Frequency-Max (MHz)
2133
Operating Temperature-Max (Cel)
105
Operating Temperature-Min (Cel)
-40
Screening Level / Reference Standard
AEC-Q100
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批号
2年以内
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
已认证供应商
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货期
1 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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