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电子元器件制造商
Samsung Semiconductor, Inc.
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
DDR3 DRAM
K4B1G1646E-HCF8
Samsung Semiconductor, Inc.
生命周期状态
Contact Mfr
说明
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin FBGA Tray
类别
Semiconductors
Memory ICs
DRAMs
DDR3 DRAM
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8542.32.00.32
SB Code
8542.32.00.15
技术详情
I/O Type
COMMON
Technology
CMOS
JESD-30 Code
R-PBGA-B96
Memory Width
16
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
BALL
J-STD-609 Code
e1
Memory IC Type
DDR3 DRAM
Refresh Cycles
8192
Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
DLA Qualification
Not Qualified
Terminal Position
BOTTOM
Memory Organization
64MX16
Number of Terminals
96
Terminal Pitch (mm)
0.8
Access Time-Max (ns)
0.15
Number of Words Code
64M
Memory Density (bits)
1073741824
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Output Characteristics
3-STATE
Supply Voltage-Nom (V)
1.5
Number of Words (words)
67108864
Sequential Burst Length
4,8
Standby Current-Max (A)
0.01
Supply Current-Max (mA)
200
Interleaved Burst Length
4,8
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Clock Frequency-Max (MHz)
533
Moisture Sensitivity Level
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
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15+
日期代码(D/C)的标准格式为YYWW。
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
呆料库存
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
100
货期
2 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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批号
15+
日期代码(D/C)的标准格式为YYWW。
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
已认证供应商
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
100
货期
1 周
出价数量
每单位买入价（美元）
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K4B1G1646E-HCF8
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