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Insulated Gate Bipolar Transistors
HGTP12N60C3D
ONSEMI
HGTP12N60C3D 产品规格书
生命周期状态
Discontinued
RoHS
符合RoHS标准
说明
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
类别
Semiconductors
Transistors
Insulated Gate Bipolar Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
VCEsat-Max
2.2 V
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-609 Code
e3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT Meter
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Case Connection
COLLECTOR
Terminal Finish
MATTE TIN
Terminal Position
SINGLE
Additional Feature
RC-IGBT
Fall Time-Max (tf)
275 ns
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Qualification Status
Not Qualified
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Application
POWER CONTROL
Turn-on Time-Nom (ton)
48 ns
Gate-emitter Voltage-Max
20 V
Turn-off Time-Max (toff)
675 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
480 ns
Operating Temperature-Max
150 Cel
Operating Temperature-Min
-40 Cel
Collector Current-Max (IC)
24 A
Power Dissipation-Max (Abs)
104 W
Transistor Element Material
SILICON
Gate-emitter Thr Voltage-Max
6 V
Collector-emitter Voltage-Max
600 V
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批号
N
日期代码(D/C)的标准格式为YYWW。
包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
已认证供应商
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
409
货期
1 周
出价数量
每单位买入价(美元)
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