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电子元器件制造商
HARRIS SEMICONDUCTOR
Semiconductors
Transistors
Insulated Gate Bipolar Transistors
HGTP10N50E1
HARRIS SEMICONDUCTOR
生命周期状态
Active
说明
10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
类别
Semiconductors
Transistors
Insulated Gate Bipolar Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8541.29.00.95
SB Code
8541.29.00.80
技术详情
VCEsat-Max
3.2 V
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Configuration
SINGLE
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-609 Code
e0
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT Meter
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Case Connection
COLLECTOR
Terminal Finish
TIN LEAD
Terminal Position
SINGLE
Fall Time-Max (tf)
1000 ns
Number of Elements
1
Rise Time-Max (tr)
50 ns
Number of Terminals
3
Qualification Status
Not Qualified
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Application
POWER CONTROL
Turn-on Time-Max (ton)
50 ns
Gate-emitter Voltage-Max
20 V
Turn-off Time-Max (toff)
400 ns
Operating Temperature-Max
150 Cel
Collector Current-Max (IC)
10 A
Power Dissipation-Max (Abs)
60 W
Transistor Element Material
SILICON
Gate-emitter Thr Voltage-Max
4.5 V
Collector-emitter Voltage-Max
500 V
Power Dissipation Ambient-Max
60 W
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包装
未知
包装情况
未知
供应商类型
已认证供应商
库存
供应商在投标时表示已了解该型号的潜在可用性。
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货期
1 周
出价数量
每单位买入价(美元)
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