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ONSEMI
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Insulated Gate Bipolar Transistors
FGP20N60UFDTU
ONSEMI
生命周期状态
EOL
RoHS
符合RoHS标准
说明
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-220AB
类别
Semiconductors
Transistors
Insulated Gate Bipolar Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95 Code
TO-220AB
JESD-609 Code
e3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT Meter
Surface Mount
NO
Terminal Form
THROUGH-HOLE
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Position
SINGLE
Fall Time-Max (tf)
64 ns
Number of Elements
1
Number of Terminals
3
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Application
POWER CONTROL
Turn-on Time-Nom (ton)
29 ns
Gate-emitter Voltage-Max
20 V
Turn-off Time-Nom (toff)
155 ns
Operating Temperature-Max
150 Cel
Collector Current-Max (IC)
40 A
Power Dissipation-Max (Abs)
165 W
Transistor Element Material
SILICON
Gate-emitter Thr Voltage-Max
6.5 V
Collector-emitter Voltage-Max
600 V
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
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包装情况
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供应商类型
已认证供应商
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每单位买入价(美元)
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