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Small Signal Field-Effect Transistors
FDD3510H
ONSEMI
FDD3510H 产品规格书
生命周期状态
Discontinued
RoHS
符合RoHS标准
说明
Trans MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
类别
Semiconductors
Transistors
Small Signal Field-Effect Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
技术详情
JESD-30 Code
R-PSSO-G4
Configuration
N and P-Channel, Common Drain
JEDEC-95 Code
TO-252
JESD-609 Code
e3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Case Connection
DRAIN
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Position
SINGLE
Number of Elements
2
Number of Terminals
4
Qualification Status
Not Qualified
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Drain Current-Max (ID)
4.3 A
Transistor Application
SWITCHING
DS Breakdown Voltage-Min
80 V
Operating Temperature-Max
150 Cel
Moisture Sensitivity Level
1
Power Dissipation-Max (Abs)
35 W
Transistor Element Material
SILICON
Avalanche Energy Rating (Eas)
37 mJ
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Drain-source On Resistance-Max
0.08 ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
20 A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
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批号
N
日期代码(D/C)的标准格式为YYWW。
包装
未知
包装情况
Unknown
供应商类型
已认证供应商
库存
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货期
1 周
出价数量
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