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电子元器件制造商
PANJIT International Inc.
Semiconductors
Transistors
Power Bipolar Transistors
BC817DPN_R1_00001
PANJIT International Inc.
BC817DPN_R1_00001 产品规格书
生命周期状态
Active
RoHS
符合RoHS标准
REACH
REACH compliant
说明
BC817DPN_R1_00001
类别
Semiconductors
Transistors
Power Bipolar Transistors
合规信息
ECCN
EAR99
ECCN Governance
EAR
HTS Code
8541.21.00.95
SB Code
8541.21.00.80
技术详情
Application
AMPLIFIER
JESD-30 Code
R-PDSO-G6
Configuration
SEPARATE, 2 ELEMENTS
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE Meter
Surface Mount
YES
Terminal Form
GULL WING
J-STD-609 Code
e3
VCEsat-Max (V)
0.7
Terminal Finish
TIN
Terminal Position
DUAL
Number of Elements
2
Number of Terminals
6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
NPN AND PNP
DC Current Gain-Min (hFE)
40
Power Dissipation-Max (W)
0.33
Transistor Element Material
SILICON
Collector Current-Max (IC) (A)
0.5
Operating Temperature-Max (Cel)
150
Operating Temperature-Min (Cel)
-55
Collector-emitter Voltage-Max (V)
45
Power Dissipation Ambient-Max (W)
0.33
Collector-base Capacitance-Max (pF)
7
Transition Frequency-Nom (fT) (MHz)
100
Screening Level / Reference Standard
IEC-61249; MIL-STD-750
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未知
包装情况
未知
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