存储行业最新行情

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三星、美光科技、SK海力士在此前纷纷加入减产队伍，为产业带来的正面效益预估在下半年呈现效果，韩民族日报表示，比起从Q2开始出现效果的V字形反弹，下半年以后逐渐好转的U字形恢复的可能性更大。

 

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对于接下来的行情，相关厂商有不同的期待。NAND闪存芯片控制器厂商群联感受到客户群提前回补库存的急单需求，表示近期的订单量显著回升到两成左右。此外，群联观察到由于NAND 闪存报价低，终端需求正呈现倍数成长，预估会有一些存储原厂减产，后续有机会迎来产业回温。

         

同样感受到行情回温的还有DRAM与晶圆代工厂南亚科，花旗环球证券评估CXL（Compute Express Link）技术将于2025年为南亚科带来额外10%的需求增长，2026至2027年将进一步提升15~ 30%，且受惠于车用储存需求增加，南亚科的DRAM合约价有机会在Q3止稳，上升幅度需参考终端需求。

         

随着下半年各大原厂消耗库存的速率加快，整个行业有望改善。

         

SSD价格

         

在闪存方面， SSD终端价格下降的幅度开始放缓。TrendForce集邦咨询于5月12日就北美、日本和欧盟等主要市场搜集了全球SSD终端价格，统计数据如下表所示，展示出不同品牌对应产品系列容量的涨跌幅度。

         

表：5月12日北美、日本、欧盟等市场SSD终端价格（美元）

来源：TrendForce（2023年5月12日）

 

Flash Wafer价格

 

根据TrendForce在5月18日的统计数据显示，Flash现货部分规格略有下浮。据悉，目前Flash整体价格浮动不大，库存仍然处于高位。据业内人士透露，一些手机厂商目前询单略有增加。

         

表：Flash现货价格（美元）

来源：TrendForce（2023年5月18日）

         

DRAM内存价格

         

根据TrendForce在5月18日的统计数据显示，DRAM现货价格浮动不大，部分规格略有下浮。

         

表：DRAM现货价格（美元）

来源：TrendForce（2023年5月18日）

         

存储行业厂商动态

         

铠侠与西部数据计划合并

         

5月15日据路透社报道，两位直接了解此事的业内人士称，因NAND闪存价格下滑，铠侠和西部数据（WDC.O）正在加快合并谈判并确定交易结构，称该市场全球排名第二和第四大的原厂正面临着业务整合的压力。

         

来自日本的铠侠和美国芯片制造商西部数据公司因市场需求暴跌，供应过剩而受到重创，此次的合并计划有利于将他们的闪存业务与韩国三星电子等竞争对手抗衡。

         

据消息人士称，目前两家公司的合并计划还未决定，细节随时将产生变化，还会受全球主要市场的否决权牵动。据悉，全球主要市场国家都有反垄断法，我国作为最大的芯片消费市场，同样拥有否决权，此外美国也可能对该合并进行审查，但其私募股权公司贝恩资本曾以180亿美元左右的高价收购铠侠，相对来说本次阻力可能不大。

         

据路透社消息，两家大厂合并后将控制全球三分之一的NAND闪存市场，可以与三星的业务并驾齐驱。分析人士称，与三星和SK海力士相比，因为业务倾向性，铠侠和西部数据更易受到该市场波动的影响。

         

长江存储原厂闪存涨价

         

据悉，长江存储原厂闪存正式开始涨价，幅度大约在3~5％，如256G已经涨价4~5美元（约合人民币28~35元）。

         

长鑫存储计划今年IPO

         

据彭博消息，长鑫存储计划今年申请在国内首次公开发行股票（IPO），其估值约超 1,000 亿元，相当于中芯国际 (688981-CN) 的 40% 左右，目前长鑫存储正在挑选承销商，未敲定 IPO 的规模。长鑫存储是国内最大的DRAM 储存芯片制造商之一，未来可能拓展更先进的半导体。

         

存储行业Q2Q3行情预测

         

国内DRAM产量

         

据TrendForce消息，由于供过于求以及地缘政治等因素影响，导致SK海力士在无锡晶圆厂的DRAM产量从48%下降至44%，SK海力士未来将在韩国建新厂。此外，三星和美光在国内没有DRAM产能，并计划在韩国和美国扩张。对此，根据这三大厂接下来的规划，TrendForce预计韩国在全球DRAM产能的份额将提升，而国内的产能预计到2025年将从14%下降到12%。

         

国内NAND 闪存产量

         

在NAND 闪存的供应方面，美国此前发布的发布半导体出口管制新规主要针对14/16nm以下逻辑芯片、18nm或以下DRAM芯片和128层以上NAND Flash三类先进制程芯片实施限制。三星在西安的工厂将继续专注128层工艺，约占全球NAND 闪存产能的17%。而被SK海力士收购的英特尔大连工厂占全球NAND 闪存产能的9%。但三星和SK海力士不大会继续扩大其旧生产线，而128层产品无法与更先进的产品抗衡。因此，涉及升级工艺技术和提高国内制造业务相关产能的计划将受阻。据TrendForce消息，到 2025 年，国内在全球 NAND 闪存产能的份额预计将从 31% 下降到 18%。

         

DRAM，NAND 闪存，SSD整体行情

         

对于DRAM，NAND 闪存，SSD在Q2的整体行情，TrendForce表示，尽管供应商纷纷减产，但DRAM及NAND 闪存的需求走弱强于减产速度，因此预计Q2，DRAM的均价季跌幅将扩大至13~18%，NAND 闪存的均价季跌幅扩大至8~13%。

         

表：2023年Q2 DRAM与NAND 闪存产业价格跌幅预测

来源：TrendForce集邦咨询（2023年5月）

         

DRAM价格

         

PC DRAM、Server DRAM、Mobile DRAM占DRAM总消耗量的85%以上，加之DDR5比重低，TrendForce表示DRAM更新预估值下跌扩大的主因来自DDR4与LPDDR5的库存过高。

         

PC DRAM方面：DDR4库存量充足，但成交量仍低；DDR5较紧缺，跌幅小于DDR4，整体预计Q2，PC DRAM 均价季跌幅扩大至15~20%。

         

Server DRAM方面：服务器整机需求持续下降，导致原厂DDR4库存压力上升，季跌幅扩大至18~23%；DDR5受PMIC问题影响，供应限缩，促使Q2均价跌幅收敛至13~18%。DDR5比重低且对价格变动影响有限，整体预计Q2，Server DRAM在Q2均价季跌幅近15~20%。

         

Mobile DRAM方面：智能手机品牌的存储器库存修正告一段落，拉货动能较去年提升，但供应商库存压力仍然很高，促进让利促销的意愿。根据观察，目前买方已将Q3与Q2的需求合并来增加谈判筹码，整体预计Q2，Mobile DRAM均价季跌幅扩大至13~18%。

         

NAND 闪存价格

         

NAND 闪存均价下跌的主要因素是由于市场供过于求的情况仍未改善，Enterprise SSD和UFS跌幅扩大，两大产品占比NAND闪存总消耗量的50%以上。

         

Enterprise SSD方面：服务器整机需求持续下降，加重原厂Enterprise SSD的库存压力。而Server ODM的订单量也受库存影响难以上升，整体预计Q2， Enterprise SSD均价跌幅扩大至10~15%。预估随着新平台放量，加上库存持续去化，下半年Enterprise SSD需求有机会出现明显增长。

         

UFS方面：智能手机品牌的存储器库存修正已告一段落，拉货动能较去年提升，但供应商库存压力依然很高，因此让利促销的意愿也同步升高。整体而言，买方试图将Q3需求与Q2合并来增加谈判筹码，加上供应商急欲去化库存，整体预计Q2，UFS均价跌幅将扩大至10~15%。

         

 

信息及配图主要来源：TrendForce集邦咨询，闪德资讯等

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