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据市场研究公司TrendForce 称，100 瓦以上的快速充电产品已进入增长期，并且加速了“第三代”（宽带隙）半导体设备在消费应用中的采用。苹果公司最近为新款MacBook Pro 推出了 140WMagSafe 充电器，为首次采用氮化镓(GaN) 技术。

 

目前GaN功率晶体管价格已经跌至近1美元，且GaN快充技术不断成熟，但根据TrendForce预计，2025年GaN解决方案在快充市场的渗透率将达到52%。

 

TrendForce还表示，2020年峰值功率55W-65W的GaN快速充电器占GaN快速充电器销量的72%（65W为主流），而峰值功率100W以上的仅占8%。但目前有越来越多的公司发布了大功率快速充电器，以应对消费者日益增长的能源消耗需求，这些大功率快速充电器的前景似乎相对乐观。顺带一提，峰值功率为140W 的快速充电器是目前可用的最强大的解决方案。

 

在100+瓦产品类别中，GaN快速充电器的渗透率已达到62%。这些充电器的主要制造商为Navitas 和Innoscience 提供。Navitas 在 GaN 芯片上拥有超过 70% 的市场份额，用于 Baseus、Lenovo和 Sharge等公司的产品。

此外，PFC+LLC组合控制器已成为100+Watt 快速充电器的主流解决方案，原因是这类控制器效率更高、尺寸更小。碳化硅(SiC) 二极管和 GaN开关的组合，提高了PFC（功率因数校正）频率。因此，市面上的主要制造商已迅速调整，将GaN+SiC 宽带隙半导体组合用于其快速充电器。

 

该技术应用的例子主要有：Baseus在2020年发布的全球首款120W GaN（由Navitas供应）+SiC（APS供应）快充，获得市场好评。Global Power Technology、Maplesemi和 onsemi等 SiC 功率器件供应商也一直在加大对 PD（电力输送）快速充电器制造商的出货量。值得注意的是，快充接口已逐渐成为汽车的标配。

TrendForce表示，由于大功率车载充电市场的兴起，电子产品的功耗和最大电池容量将推动包括GaN和SiC在内的第三代半导体的广泛应用。

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